-Diferentes tipos de Módulos de MEMORIA RAM:

·DEFINICIÓN:  Memoria RAM en ingles ( Ramdom Access Memory ) ,memoria de acceso aleatorio. Es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados.

-Primeros tipos de memoria RAM 1949-52 (núcleo magnético) .

-Primeras memorias RAM basadas en Semiconductores de silicio,

 1969,de 64 bits.

-Modulos DiPP (Dual in-line Package)

·Eran chips de memoria de forma rectangular y chata. Presentaban dos líneas de pines en sus laterales. Una  muesca o punto sobre el chip indicaban cuál es la pata nº 1 para evitar colocar el chip al revés en el zócalo de la mother. Hoy no se utilizan memorias RAM en formato DIP, pero sí todavía como caché en motherboards u otras tarjetas.

·Número de pines: 14 o 16 pines.

·Año de lanzamiento: Principios de los años 70.

-Modulos SIPP (Single Inline Pinned Package)

·Número de pines: 30 pines

·Rango de capacidad

de almacenamiento : 256Kb, 512 kb , 1 Mb .

·R. Frecuencia de trabajo: Aproximadamente entre 25 y 33 MHz.

·Número de bits de funcionamiento: 8 bits.

·Tensión de trabajo: 3.3 v

Tiempo de acceso: 60 nseg.

·Año de lanzamiento: Principios de los años 80.

-Modulos SiMM (Single In-line Memory Module)

·30 PiNES:

·Número de pines: 30 pines.

·Tamaño (cm): 8.9

·Rango de capacidad

de almacenamiento :  256 Kb, 512 Kb, 1 Mb, 2 Mb, 4 Mb, 8 Mb .

·R. Frecuencia de trabajo: 25  MHz.

·Número de bits de funcionamiento: 16 bits.

·Tensión de trabajo: 5 v.

·Tiempo de acceso: 60 nseg.

·Año de lanzamiento: Entre los años 80 y los 90.

72 PiNES:

·Número de pines: 30 pines

·Tamaño (cm): 10.8

·”NOTCH”:1

·Rango de capacidad

 de almacenamiento :  256 Kb, 512 Kb, 1 Mb, 2 Mb, 4 Mb, 8 Mb  .

·R. Frecuencia de trabajo: 33  MHz.

·Número de bits de funcionamiento: 32 bits.

·Tensión de trabajo: 5 v.

·Tiempo de acceso: 40 nseg

Año de lanzamiento: Entre los años 80 y los 90 .

-Modulos RiMM (Rambus Inline Memory Module)

Rimm RDRAMM:

184 PINES:

·Número de pines: 184 pines.

·Tamaño (cm): 13.3

·”NOTCH”:2

·Rango de capacidad

de almacenamiento :   64 Mb, 128 Mb, 256 Mb .

·R. Frecuencia de trabajo: PC600 (300MHz), PC700 (350MHz),

                                                  PC800 (400MHz), PC1066 (533MHz) .

·Número de bits de funcionamiento: 16 bits.

·Tensión de trabajo: 2.5 v.

·Tiempo de acceso: 40 nseg.

Año de lanzamiento: Mediados de 1990.

232 PINES:

·Número de pines: 232pines

·Tamaño (cm): 13.3

·”NOTCH”:1

·Ancho de banda de memoria: 3.2 Gb/s - 4.2 Gb/s.

·Velocidad de transferencia: 4.8 Gb/s.

·Número de bits de funcionamiento: 32 bits.

-Modulos DiMM (Dual In-line Memory Module) (SDRAM)

1- SDR

·Número de pines: 168 pines

·Tamaño (cm): 13.3

·”NOTCH”:2

·Rango de capacidad

de almacenamiento :  128 Mb, 256 Mb, 512 Mb .

·R. Frecuencia de trabajo: PC66 (66MHz), PC (100), PC133 (133) .

·Número de bits de funcionamiento: 64 o 72 bits.

·Tensión de trabajo: 3,3 v.

·Tiempo de acceso: 25 y 10 nseg

·Año de lanzamiento: 1997.

2- DDR

·Número de pines: 184 pines

·Tamaño (cm): 13.3

·”NOTCH”:1

·Rango de capacidad

de almacenamiento :  128 Mb, 256 Mb, 512 Mb y 1 Gb  .

·R. Frecuencia de trabajo: PC1600 (200MHz), PC2100 (266MHz),

                                               PC2700 (333MHz), PC3200 (400MHz) .

·Número de bits de funcionamiento: 64 bits.

Tensión de trabajo: 2,5-2,7 v.

·Tiempo de acceso: PC2100 (7,5 nseg), PC700 (6), PC3200 (5)

·Año de lanzamiento: Principios del 2000 .

3- DDR 2

·Número de pines: 240 pines.

·Tamaño (cm): 13.3

·”NOTCH”:1

·Rango de capacidad

de almacenamiento :  256 Mb, 512 Mb, 1 Gb, 2 Gb, y 4Gb

·R. Frecuencia de trabajo: PC5300 (667MHz), PC6400 (800MHz) .

·Número de bits de funcionamiento:   64  bits

·Tensión de trabajo: 1,8 v.

·Tiempo de acceso:   PC5300 (6 nseg), PC6400 (5 nseg)

·Año de lanzamiento: Mediados de la década del 2000

4- DDR 3

·Número de pines: 240 pines.

·Tamaño (cm): 13.3

·”NOTCH”:1

·Rango de capacidad

de almacenamiento :  1 Gb, 2 Gb,  4 Gb y 6 Gb .

·R. Frecuencia de trabajo: PC3-8500 (1066MHz), PC3-10666 (1333),

                                                PC3-12800 (1600), PC3-14900 (1866)

·Número de bits de funcionamiento: 32 bits y 64 bits.

·Tensión de trabajo: 1,5 v.

·Tiempo de acceso: PC3-8500 (7.5 nseg), PC3-10666 (6), PC3-12800 (5),

                                     PC3-14900 (± 4).

·Año de lanzamiento: 2007.

OTRAS ALTERNATIVAS DE FUTURO

MRAM (RAM magneto resistiva), (magnetic random access memory)

·Número de bits de funcionamiento: 16 megabits por chip. Y existen prototopos capaces de alcanzar 1KB.

·R. Frecuencia de trabajo: han alcanzado hasta 1 GHz.

·Tensión de trabajo: Cerca de los 10v.

·Tiempo de acceso: 2nseg.

En desarrollo desde los años 90.

PRAM (RAM  de cambio de fase)

(Phase-Change Random Access Memory)

(Memoria tipo flash)

·R. Frecuencia de trabajo: 100 millones de ciclos de escritura.

·Almacenan un bit por celda.

·Rango de capacidad

de almacenamiento : modulos mayores de 8 Gb.

·Tensión de trabajo: bastante por encima de 1 V.

·Tiempo de acceso: 40 nseg.

ZRAM (RAM sin condensadores) 

·R. Frecuencia de trabajo: 2500MHz.

·Tensión de trabajo: 0.5 y 0.6v.

·Tiempo de acceso: 3 nseg.

·Año de lanzamiento: A partir de 2010.

XDR DRAM

·Tasa de transferencia: 12,8 GBps con una banda pasante de 3,2GHz y posibilidad de funcionar en Dual Channel con una banda de 25,6GBps a una cadencia de 6,4GHz.

·”NOTCH”: 2

·Rango de capacidad

 de almacenamiento :  512 Mb y 1Gb.

·Frecuencia de Reloj de 3,2 GHz y 512 MB de modulos.

·Número de bits de funcionamiento: 32 bits.

·Tensión de trabajo: 1.5/1.2 v.

 Buses de datos que son 16, 8, 4, y en algunos casos 2 bits de ancho. 

XDR 2 DRAM

·La hoja de ruta se extiende a 12.8Gbps velocidades de datos que proporcionan 51.2GB / s de ancho de banda por dispositivo.

·Número de bits de funcionamiento: 32 bits.

·Tensión de trabajo: 1.5/1.2 v.

·”NOTCH”:1