·DEFINICIÓN: Memoria RAM en ingles ( Ramdom
Access Memory )
,memoria de acceso aleatorio. Es la memoria desde donde el
procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados.
-Primeros
tipos de memoria RAM 1949-52 (núcleo magnético) .
-Primeras
memorias RAM basadas en Semiconductores de silicio,
-Modulos DiPP (Dual in-line Package)
·Eran chips de memoria de forma rectangular y chata. Presentaban dos líneas de pines en sus laterales. Una muesca o punto sobre el chip indicaban cuál es la pata nº 1 para evitar colocar el chip al revés en el zócalo de la mother. Hoy no se utilizan memorias RAM en formato DIP, pero sí todavía como caché en motherboards u otras tarjetas.
·Número
de pines: 14 o 16 pines.
·Año
de lanzamiento: Principios de los años 70.
-Modulos SIPP (Single Inline Pinned Package)
·Número
de pines: 30 pines
·Rango
de capacidad
de
almacenamiento : 256Kb, 512 kb , 1 Mb .
·R.
Frecuencia de trabajo: Aproximadamente entre 25 y 33 MHz.
·Número
de bits de funcionamiento: 8 bits.
·Tensión
de trabajo: 3.3 v
Tiempo
de acceso: 60 nseg.
·Año
de lanzamiento: Principios de los años 80.
-Modulos SiMM (Single
In-line Memory Module)
·30 PiNES:
·Número de pines: 30 pines.
·Tamaño (cm): 8.9
·Rango de capacidad
de almacenamiento :
256 Kb, 512 Kb, 1 Mb, 2 Mb, 4 Mb, 8 Mb .
·R. Frecuencia de trabajo: 25 MHz.
·Número de bits de funcionamiento:
16 bits.
·Tensión de trabajo: 5 v.
·Tiempo de acceso: 60 nseg.
·Año de lanzamiento: Entre los
años 80 y los 90.
72 PiNES:
·Número
de pines: 30 pines
·Tamaño (cm): 10.8
·”NOTCH”:1
·Rango de capacidad
de
almacenamiento : 256 Kb, 512 Kb, 1
Mb, 2 Mb, 4 Mb, 8 Mb .
·R.
Frecuencia de trabajo: 33 MHz.
·Número
de bits de funcionamiento: 32 bits.
·Tensión
de trabajo: 5 v.
·Tiempo
de acceso: 40 nseg
Año
de lanzamiento: Entre los años 80 y los 90 .
-Modulos RiMM (Rambus
Inline Memory Module)
Rimm RDRAMM:
184 PINES:
·Número de pines: 184 pines.
·Tamaño (cm): 13.3
·”NOTCH”:2
·Rango
de capacidad
de almacenamiento :
64 Mb, 128 Mb, 256 Mb .
·R. Frecuencia de trabajo:
PC600 (300MHz), PC700 (350MHz),
PC800 (400MHz), PC1066 (533MHz) .
·Número de bits de funcionamiento:
16 bits.
·Tensión de trabajo: 2.5 v.
·Tiempo de acceso: 40 nseg.
Año de lanzamiento: Mediados de 1990.
232 PINES:
·Número de pines: 232pines
·Tamaño (cm): 13.3
·”NOTCH”:1
·Ancho de banda de memoria: 3.2 Gb/s - 4.2 Gb/s.
·Velocidad
de transferencia: 4.8 Gb/s.
·Número de bits de funcionamiento:
32 bits.
-Modulos DiMM (Dual
In-line Memory Module) (SDRAM)
1- SDR
·Número de pines: 168 pines
·Tamaño (cm): 13.3
·”NOTCH”:2
·Rango
de capacidad
de almacenamiento :
128 Mb, 256 Mb, 512 Mb .
·R. Frecuencia de trabajo: PC66
(66MHz), PC (100), PC133 (133) .
·Número de bits de funcionamiento:
64 o 72 bits.
·Tensión de trabajo: 3,3 v.
·Tiempo de acceso: 25 y 10 nseg
·Año de lanzamiento: 1997.
2- DDR
·Número
de pines: 184 pines
·Tamaño (cm): 13.3
·”NOTCH”:1
·Rango de capacidad
de
almacenamiento : 128 Mb, 256 Mb, 512
Mb y 1 Gb .
·R.
Frecuencia de trabajo: PC1600 (200MHz), PC2100 (266MHz),
PC2700
(333MHz), PC3200 (400MHz) .
·Número
de bits de funcionamiento: 64 bits.
Tensión
de trabajo: 2,5-2,7 v.
·Tiempo
de acceso: PC2100 (7,5 nseg), PC700 (6), PC3200 (5)
·Año
de lanzamiento: Principios del 2000 .
3- DDR 2
·Número
de pines: 240 pines.
·Tamaño (cm): 13.3
·”NOTCH”:1
·Rango de capacidad
de
almacenamiento : 256 Mb, 512 Mb, 1
Gb, 2 Gb, y 4Gb
·R.
Frecuencia de trabajo: PC5300 (667MHz), PC6400 (800MHz) .
·Número
de bits de funcionamiento: 64 bits
·Tensión
de trabajo: 1,8 v.
·Tiempo
de acceso: PC5300 (6 nseg), PC6400
(5 nseg)
·Año
de lanzamiento: Mediados de la década del 2000
4- DDR 3
·Número
de pines: 240 pines.
·Tamaño (cm): 13.3
·”NOTCH”:1
·Rango de capacidad
de
almacenamiento : 1 Gb, 2 Gb, 4
Gb y 6 Gb .
·R.
Frecuencia de trabajo: PC3-8500 (1066MHz), PC3-10666 (1333),
PC3-12800 (1600), PC3-14900 (1866)
·Número
de bits de funcionamiento: 32 bits y 64 bits.
·Tensión
de trabajo: 1,5 v.
·Tiempo
de acceso: PC3-8500 (7.5 nseg), PC3-10666 (6), PC3-12800 (5),
PC3-14900
(± 4).
·Año
de lanzamiento: 2007.
OTRAS
ALTERNATIVAS DE FUTURO
MRAM (RAM magneto resistiva), (magnetic random access memory)
·Número
de bits de funcionamiento: 16 megabits por chip. Y existen prototopos capaces de alcanzar 1KB.
·R.
Frecuencia de trabajo: han alcanzado hasta 1 GHz.
·Tensión
de trabajo: Cerca de los 10v.
·Tiempo
de acceso: 2nseg.
En desarrollo desde los años 90.
PRAM (RAM de cambio de fase)
(Phase-Change Random Access Memory)
(Memoria tipo flash)
·R.
Frecuencia de trabajo: 100 millones de ciclos de escritura.
·Almacenan un bit por celda.
·Rango de capacidad
de
almacenamiento : modulos mayores de 8 Gb.
·Tensión
de trabajo: bastante por encima de 1 V.
·Tiempo
de acceso: 40 nseg.
ZRAM (RAM sin
condensadores)
·R.
Frecuencia de trabajo: 2500MHz.
·Tensión
de trabajo: 0.5 y 0.6v.
·Tiempo
de acceso: 3 nseg.
·Año
de lanzamiento: A partir de 2010.
XDR DRAM
·Tasa de transferencia: 12,8 GBps con una banda pasante de 3,2GHz y posibilidad de funcionar en Dual Channel con una
banda de 25,6GBps a una cadencia de 6,4GHz.
·”NOTCH”: 2
·Rango
de capacidad
de almacenamiento :
512 Mb y 1Gb.
·Frecuencia de Reloj de 3,2 GHz y 512 MB de modulos.
·Número
de bits de funcionamiento: 32 bits.
·Tensión
de trabajo: 1.5/1.2 v.
Buses
de datos que son 16, 8, 4, y en algunos casos 2 bits de ancho.
XDR 2 DRAM
·La hoja de ruta se extiende a 12.8Gbps velocidades de datos que
proporcionan 51.2GB / s de ancho de banda por dispositivo.
·Número
de bits de funcionamiento: 32 bits.
·Tensión
de trabajo: 1.5/1.2 v.
·”NOTCH”:1